Электроузел - сайт для электрика https://elektrouzel.ru/ ru Электроузел - сайт для электрика[shortrss] Транзистор П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ https://elektrouzel.ru/reference/transistors/326-tranzistor-p4ae-p4be-p4ve-p4ge-p4de.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/326-tranzistor-p4ae-p4be-p4ve-p4ge-p4de.html

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 14 гр.

Чертёж П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ

Электрические параметры П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=2 А, IБ=0,3 А П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ, не более 0,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=10 В, IК=2 А
П4АЭ, не менее 5
П4БЭ 15-40
П4ВЭ, не мене 10
П4ГЭ 15-30
П4ДЭ, не менее 30
Коэффициент усиления по мощности при Рвых=10 Вт, UКБ=26 В, Rи=25 Ом, ?=1 кГц, не менее
П4АЭ 20 дБ
П4БЭ 23 дБ
П4ГЭ 27 дБ
П4ДЭ 30 дБ
Коэффициент нелинейных искажений при Рвых=10 Вт, UКБ=26 В, Rи=25 Ом, ?=1 кГц, не более
П4АЭ 15%
П4БЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 10%
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой, не менее 150 кГц
Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более
П4АЭ 500 мкА
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 400 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=15 Ом
при UКЭ=60 В П4БЭ, не более 20 мкА
при UКЭ=50 В
П4ГЭ, П4ДЭ, не более 20 мкА
П4АЭ, не более 50 мкА
при UКЭ=35 В П4ВЭ, не более 20 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 60 В
П4БЭ 70 В
П4ВЭ 40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ?15 Ом
П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 50 В
П4БЭ 60 В
П4ВЭ 35 В
Постоянный ток коллектора 5 А
Постоянный ток базы 1,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом
при Тк?313 К
П4АЭ 20 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 25 Вт
при Тк=323 К
П4АЭ 15 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 20 Вт
при Тк=343 К
П4АЭ 7,5 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 10 Вт
без теплоотвода при Тк?298 К
П4АЭ 2 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 3 Вт
Температура перехода 363 К
Тепловое сопротивление переход-корпус
П4АЭ 2,67 К/Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 2 К/Вт
Температура корпуса От 213 до 343 К

1. Входные характеристики. 2. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость максимальной допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного максимального допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость максимальной допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного максимального допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

]]> Транзисторы pickvik Thu, 16 Feb 2017 20:58:21 +0300 [/shortrss] [fullrss] Транзистор П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ https://elektrouzel.ru/reference/transistors/326-tranzistor-p4ae-p4be-p4ve-p4ge-p4de.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/326-tranzistor-p4ae-p4be-p4ve-p4ge-p4de.html

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

]]>

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 14 гр.

Чертёж П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ

Электрические параметры П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=2 А, IБ=0,3 А П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ, не более 0,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=10 В, IК=2 А
П4АЭ, не менее 5
П4БЭ 15-40
П4ВЭ, не мене 10
П4ГЭ 15-30
П4ДЭ, не менее 30
Коэффициент усиления по мощности при Рвых=10 Вт, UКБ=26 В, Rи=25 Ом, ?=1 кГц, не менее
П4АЭ 20 дБ
П4БЭ 23 дБ
П4ГЭ 27 дБ
П4ДЭ 30 дБ
Коэффициент нелинейных искажений при Рвых=10 Вт, UКБ=26 В, Rи=25 Ом, ?=1 кГц, не более
П4АЭ 15%
П4БЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 10%
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой, не менее 150 кГц
Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более
П4АЭ 500 мкА
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 400 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=15 Ом
при UКЭ=60 В П4БЭ, не более 20 мкА
при UКЭ=50 В
П4ГЭ, П4ДЭ, не более 20 мкА
П4АЭ, не более 50 мкА
при UКЭ=35 В П4ВЭ, не более 20 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 60 В
П4БЭ 70 В
П4ВЭ 40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ?15 Ом
П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 50 В
П4БЭ 60 В
П4ВЭ 35 В
Постоянный ток коллектора 5 А
Постоянный ток базы 1,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом
при Тк?313 К
П4АЭ 20 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 25 Вт
при Тк=323 К
П4АЭ 15 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 20 Вт
при Тк=343 К
П4АЭ 7,5 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 10 Вт
без теплоотвода при Тк?298 К
П4АЭ 2 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 3 Вт
Температура перехода 363 К
Тепловое сопротивление переход-корпус
П4АЭ 2,67 К/Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 2 К/Вт
Температура корпуса От 213 до 343 К

1. Входные характеристики. 2. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость максимальной допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного максимального допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость максимальной допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного максимального допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

]]> pickvik Thu, 16 Feb 2017 20:58:21 +0300 [/fullrss] [yandexrss] Транзистор П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ https://elektrouzel.ru/reference/transistors/326-tranzistor-p4ae-p4be-p4ve-p4ge-p4de.html

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

 Транзисторы Thu, 16 Feb 2017 20:58:21 +0300

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 14 гр.

Чертёж П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ

Электрические параметры П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=2 А, IБ=0,3 А П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ, не более 0,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=10 В, IК=2 А
П4АЭ, не менее 5
П4БЭ 15-40
П4ВЭ, не мене 10
П4ГЭ 15-30
П4ДЭ, не менее 30
Коэффициент усиления по мощности при Рвых=10 Вт, UКБ=26 В, Rи=25 Ом, ?=1 кГц, не менее
П4АЭ 20 дБ
П4БЭ 23 дБ
П4ГЭ 27 дБ
П4ДЭ 30 дБ
Коэффициент нелинейных искажений при Рвых=10 Вт, UКБ=26 В, Rи=25 Ом, ?=1 кГц, не более
П4АЭ 15%
П4БЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 10%
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой, не менее 150 кГц
Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более
П4АЭ 500 мкА
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 400 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=15 Ом
при UКЭ=60 В П4БЭ, не более 20 мкА
при UКЭ=50 В
П4ГЭ, П4ДЭ, не более 20 мкА
П4АЭ, не более 50 мкА
при UКЭ=35 В П4ВЭ, не более 20 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 60 В
П4БЭ 70 В
П4ВЭ 40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ?15 Ом
П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 50 В
П4БЭ 60 В
П4ВЭ 35 В
Постоянный ток коллектора 5 А
Постоянный ток базы 1,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом
при Тк?313 К
П4АЭ 20 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 25 Вт
при Тк=323 К
П4АЭ 15 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 20 Вт
при Тк=343 К
П4АЭ 7,5 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 10 Вт
без теплоотвода при Тк?298 К
П4АЭ 2 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 3 Вт
Температура перехода 363 К
Тепловое сопротивление переход-корпус
П4АЭ 2,67 К/Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 2 К/Вт
Температура корпуса От 213 до 343 К

1. Входные характеристики. 2. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость максимальной допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного максимального допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость максимальной допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного максимального допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 14 гр.

Чертёж П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ

Электрические параметры П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=2 А, IБ=0,3 А П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ, не более 0,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=10 В, IК=2 А
П4АЭ, не менее 5
П4БЭ 15-40
П4ВЭ, не мене 10
П4ГЭ 15-30
П4ДЭ, не менее 30
Коэффициент усиления по мощности при Рвых=10 Вт, UКБ=26 В, Rи=25 Ом, ?=1 кГц, не менее
П4АЭ 20 дБ
П4БЭ 23 дБ
П4ГЭ 27 дБ
П4ДЭ 30 дБ
Коэффициент нелинейных искажений при Рвых=10 Вт, UКБ=26 В, Rи=25 Ом, ?=1 кГц, не более
П4АЭ 15%
П4БЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 10%
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой, не менее 150 кГц
Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более
П4АЭ 500 мкА
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 400 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=15 Ом
при UКЭ=60 В П4БЭ, не более 20 мкА
при UКЭ=50 В
П4ГЭ, П4ДЭ, не более 20 мкА
П4АЭ, не более 50 мкА
при UКЭ=35 В П4ВЭ, не более 20 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 60 В
П4БЭ 70 В
П4ВЭ 40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ?15 Ом
П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 50 В
П4БЭ 60 В
П4ВЭ 35 В
Постоянный ток коллектора 5 А
Постоянный ток базы 1,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом
при Тк?313 К
П4АЭ 20 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 25 Вт
при Тк=323 К
П4АЭ 15 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 20 Вт
при Тк=343 К
П4АЭ 7,5 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 10 Вт
без теплоотвода при Тк?298 К
П4АЭ 2 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 3 Вт
Температура перехода 363 К
Тепловое сопротивление переход-корпус
П4АЭ 2,67 К/Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 2 К/Вт
Температура корпуса От 213 до 343 К

1. Входные характеристики. 2. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость максимальной допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного максимального допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость максимальной допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного максимального допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

]]> [/yandexrss][shortrss] Диод КД407А https://elektrouzel.ru/reference/diodes/325-diod-kd407a.html https://elektrouzel.ru/reference/diodes/325-diod-kd407a.html

Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный. Предназначен для применения в качестве высокочастотных детекторов. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами.

 Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный. Предназначен для применения в качестве высокочастотных детекторов. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с вводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,3 грамма.


Чертёж диода КД407А

Электрические параметры КД407А.

Постоянный обратный ток при Uобр=24 В, не более
Т=+25°С 0,5 мкА
Т=+100°С 10 мкА
Дифференциальное сопротивление при Iпр=10 мА, ?=50...300 МГц, не более 1 Ом
Общая ёмкость при Uобр=5 В, не болле 1 пФ
Индуктивность диода, не более 5 пГн

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное (импульсное) обратное напряжение 24 В
Постоянный, средний прямой ток КД407А
при Т?+35°С 50 мА
при Т=+100°С 25 мА
Импульсный прямой ток при ?и?10 мкс, Q?10
при Т?+35°С 500 мА
при Т=+100°С 250 мА
Температура окружающей среды -60...+100°С

1. Зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока. 2. Зависимость дифференциального сопротивления от температуры. 3. Зависимость заряда переключения от прямого тока. 4. Зависимость допустимого прямого тока от температуры.

1. Зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока. 2. Зависимость дифференциального сопротивления от температуры. 3. Зависимость заряда переключения от прямого тока. 4. Зависимость допустимого прямого тока от температуры.

]]> Диоды pickvik Mon, 13 Feb 2017 20:40:46 +0300 [/shortrss] [fullrss] Диод КД407А https://elektrouzel.ru/reference/diodes/325-diod-kd407a.html https://elektrouzel.ru/reference/diodes/325-diod-kd407a.html

Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный. Предназначен для применения в качестве высокочастотных детекторов. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами.

]]> Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный. Предназначен для применения в качестве высокочастотных детекторов. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с вводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,3 грамма.


Чертёж диода КД407А

Электрические параметры КД407А.

Постоянный обратный ток при Uобр=24 В, не более
Т=+25°С 0,5 мкА
Т=+100°С 10 мкА
Дифференциальное сопротивление при Iпр=10 мА, ?=50...300 МГц, не более 1 Ом
Общая ёмкость при Uобр=5 В, не болле 1 пФ
Индуктивность диода, не более 5 пГн

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное (импульсное) обратное напряжение 24 В
Постоянный, средний прямой ток КД407А
при Т?+35°С 50 мА
при Т=+100°С 25 мА
Импульсный прямой ток при ?и?10 мкс, Q?10
при Т?+35°С 500 мА
при Т=+100°С 250 мА
Температура окружающей среды -60...+100°С

1. Зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока. 2. Зависимость дифференциального сопротивления от температуры. 3. Зависимость заряда переключения от прямого тока. 4. Зависимость допустимого прямого тока от температуры.

1. Зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока. 2. Зависимость дифференциального сопротивления от температуры. 3. Зависимость заряда переключения от прямого тока. 4. Зависимость допустимого прямого тока от температуры.

]]> pickvik Mon, 13 Feb 2017 20:40:46 +0300 [/fullrss] [yandexrss] Диод КД407А https://elektrouzel.ru/reference/diodes/325-diod-kd407a.html

Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный. Предназначен для применения в качестве высокочастотных детекторов. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами.

 Диоды Mon, 13 Feb 2017 20:40:46 +0300

Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный. Предназначен для применения в качестве высокочастотных детекторов. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с вводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,3 грамма.


Чертёж диода КД407А

Электрические параметры КД407А.

Постоянный обратный ток при Uобр=24 В, не более
Т=+25°С 0,5 мкА
Т=+100°С 10 мкА
Дифференциальное сопротивление при Iпр=10 мА, ?=50...300 МГц, не более 1 Ом
Общая ёмкость при Uобр=5 В, не болле 1 пФ
Индуктивность диода, не более 5 пГн

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное (импульсное) обратное напряжение 24 В
Постоянный, средний прямой ток КД407А
при Т?+35°С 50 мА
при Т=+100°С 25 мА
Импульсный прямой ток при ?и?10 мкс, Q?10
при Т?+35°С 500 мА
при Т=+100°С 250 мА
Температура окружающей среды -60...+100°С

1. Зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока. 2. Зависимость дифференциального сопротивления от температуры. 3. Зависимость заряда переключения от прямого тока. 4. Зависимость допустимого прямого тока от температуры.

1. Зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока. 2. Зависимость дифференциального сопротивления от температуры. 3. Зависимость заряда переключения от прямого тока. 4. Зависимость допустимого прямого тока от температуры.

 Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный. Предназначен для применения в качестве высокочастотных детекторов. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с вводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,3 грамма.


Чертёж диода КД407А

Электрические параметры КД407А.

Постоянный обратный ток при Uобр=24 В, не более
Т=+25°С 0,5 мкА
Т=+100°С 10 мкА
Дифференциальное сопротивление при Iпр=10 мА, ?=50...300 МГц, не более 1 Ом
Общая ёмкость при Uобр=5 В, не болле 1 пФ
Индуктивность диода, не более 5 пГн

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное (импульсное) обратное напряжение 24 В
Постоянный, средний прямой ток КД407А
при Т?+35°С 50 мА
при Т=+100°С 25 мА
Импульсный прямой ток при ?и?10 мкс, Q?10
при Т?+35°С 500 мА
при Т=+100°С 250 мА
Температура окружающей среды -60...+100°С

1. Зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока. 2. Зависимость дифференциального сопротивления от температуры. 3. Зависимость заряда переключения от прямого тока. 4. Зависимость допустимого прямого тока от температуры.

1. Зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока. 2. Зависимость дифференциального сопротивления от температуры. 3. Зависимость заряда переключения от прямого тока. 4. Зависимость допустимого прямого тока от температуры.

]]> [/yandexrss][shortrss] Транзистор КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д https://elektrouzel.ru/reference/transistors/324-tranzistor-kt943a-kt943b-kt943v-kt943g-kt943d.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/324-tranzistor-kt943a-kt943b-kt943v-kt943g-kt943d.html

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.

 Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах. Корпус пластмассовый с жёсткими выводами. Масса транзистора не более 0,8 гр.

Чертёж КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943ДЧертёж КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д

Электрические параметры.

Параметр Буквенное
обозначение		 Значение Режим измерения
минимальное максимальное UКЭ (UКБ) В UБЭ, В IК, мА IБ, мА
Граничное напряжение, В: UКЭО гр         100  
КТ943А 45
КТ943Б, КТ943Д 60
КТ943В, КТ943Г 80
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В:		 UКЭ нас         1000 100
КТ943А, КТ943Б, КТ943В 0,6
КТ943Г, КТ943Д 1,2
Статический коэффициент
передачи тока в схеме ОЭ		 h21 Э   2   150  
при Тк=25°С:
КТ943А 40 200
КТ943Б 40 160
КТ943В 40 120
КТ943Г 20 60
КТ943Д 30 100
при Тк=85°С:  
КТ943А 40 400
КТ943Б 40 320
КТ943В 40 250
КТ943Г 20 200
КТ943Д 30 300
при Тк=-45°С:  
КТ943А, КТ943Б, КТ943В 15  
КТ943Г, КТ943Д 5  
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте (ƒ=10 МГц)		 h21 Э 3   10   250  
Обратный ток коллектора, мА: IК БО   UК Бmax      
при Тк=-45÷25°С:
КТ943А, КТ943Б, КТ943В   0,1
КТ943Г, КТ943Д 1
при Тк=85°С:  
КТ943А, КТ943Б, КТ943В 0,3
КТ943Г, КТ943Д 3

Предельные эксплуатационные данные КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д.

Постоянное напряжение коллектор-база
КТ943А 45 В
КТ943Б 60 В
КТ943В, КТ943Г, КТ943Д 100 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RБЭ=10 Ом или RБЭ=1 кОм)
КТ943А 45 В
КТ943Б, КТ943Д 60 В
КТ943В, КТ943Г 80 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер (RБЭ=10 Ом)
КТ943А 50 В
КТ943Б 75 В
КТ943Д 80 В
КТ943В, КТ943Г 100 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 5 В
Постоянный ток 2 А
Импульсный ток коллектора (τи≤1 мс, Q≥50) 6 А
Постоянный ток базы 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность 1 коллектора (Тк=-45÷25°С) 25 Вт
Температура перехода 150°С
Температура окружающей среды от -45°С до Тк=85°С

1 При Тк=25÷83°С РК max [Вт]=0,2 (150-Тк). Разрешается использование транзисторов в схемах кадровой развёртки телевизоров при τи=10 мс, Q≥2, IК и max≤3 А.

Транзистор КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д Транзистор КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д

Допускается пайка выводов паяльником с температурой 250°С в течение не более 3 секунд на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При эксплуатации транзистора следует учитывать возможность его самовозбуждения за счёт паразитных обратных связей монтажа.

]]> Транзисторы pickvik Sat, 02 Apr 2016 20:14:55 +0300 [/shortrss] [fullrss] Транзистор КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д https://elektrouzel.ru/reference/transistors/324-tranzistor-kt943a-kt943b-kt943v-kt943g-kt943d.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/324-tranzistor-kt943a-kt943b-kt943v-kt943g-kt943d.html

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.

]]> Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах. Корпус пластмассовый с жёсткими выводами. Масса транзистора не более 0,8 гр.

Чертёж КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943ДЧертёж КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д

Электрические параметры.

Параметр Буквенное
обозначение		 Значение Режим измерения
минимальное максимальное UКЭ (UКБ) В UБЭ, В IК, мА IБ, мА
Граничное напряжение, В: UКЭО гр         100  
КТ943А 45
КТ943Б, КТ943Д 60
КТ943В, КТ943Г 80
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В:		 UКЭ нас         1000 100
КТ943А, КТ943Б, КТ943В 0,6
КТ943Г, КТ943Д 1,2
Статический коэффициент
передачи тока в схеме ОЭ		 h21 Э   2   150  
при Тк=25°С:
КТ943А 40 200
КТ943Б 40 160
КТ943В 40 120
КТ943Г 20 60
КТ943Д 30 100
при Тк=85°С:  
КТ943А 40 400
КТ943Б 40 320
КТ943В 40 250
КТ943Г 20 200
КТ943Д 30 300
при Тк=-45°С:  
КТ943А, КТ943Б, КТ943В 15  
КТ943Г, КТ943Д 5  
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте (ƒ=10 МГц)		 h21 Э 3   10   250  
Обратный ток коллектора, мА: IК БО   UК Бmax      
при Тк=-45÷25°С:
КТ943А, КТ943Б, КТ943В   0,1
КТ943Г, КТ943Д 1
при Тк=85°С:  
КТ943А, КТ943Б, КТ943В 0,3
КТ943Г, КТ943Д 3

Предельные эксплуатационные данные КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д.

Постоянное напряжение коллектор-база
КТ943А 45 В
КТ943Б 60 В
КТ943В, КТ943Г, КТ943Д 100 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RБЭ=10 Ом или RБЭ=1 кОм)
КТ943А 45 В
КТ943Б, КТ943Д 60 В
КТ943В, КТ943Г 80 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер (RБЭ=10 Ом)
КТ943А 50 В
КТ943Б 75 В
КТ943Д 80 В
КТ943В, КТ943Г 100 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 5 В
Постоянный ток 2 А
Импульсный ток коллектора (τи≤1 мс, Q≥50) 6 А
Постоянный ток базы 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность 1 коллектора (Тк=-45÷25°С) 25 Вт
Температура перехода 150°С
Температура окружающей среды от -45°С до Тк=85°С

1 При Тк=25÷83°С РК max [Вт]=0,2 (150-Тк). Разрешается использование транзисторов в схемах кадровой развёртки телевизоров при τи=10 мс, Q≥2, IК и max≤3 А.

Транзистор КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д Транзистор КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д

Допускается пайка выводов паяльником с температурой 250°С в течение не более 3 секунд на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При эксплуатации транзистора следует учитывать возможность его самовозбуждения за счёт паразитных обратных связей монтажа.

]]> pickvik Sat, 02 Apr 2016 20:14:55 +0300 [/fullrss] [yandexrss] Транзистор КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д https://elektrouzel.ru/reference/transistors/324-tranzistor-kt943a-kt943b-kt943v-kt943g-kt943d.html

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.

 Транзисторы Sat, 02 Apr 2016 20:14:55 +0300

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах. Корпус пластмассовый с жёсткими выводами. Масса транзистора не более 0,8 гр.

Чертёж КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943ДЧертёж КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д

Электрические параметры.

Параметр Буквенное
обозначение		 Значение Режим измерения
минимальное максимальное UКЭ (UКБ) В UБЭ, В IК, мА IБ, мА
Граничное напряжение, В: UКЭО гр         100  
КТ943А 45
КТ943Б, КТ943Д 60
КТ943В, КТ943Г 80
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В:		 UКЭ нас         1000 100
КТ943А, КТ943Б, КТ943В 0,6
КТ943Г, КТ943Д 1,2
Статический коэффициент
передачи тока в схеме ОЭ		 h21 Э   2   150  
при Тк=25°С:
КТ943А 40 200
КТ943Б 40 160
КТ943В 40 120
КТ943Г 20 60
КТ943Д 30 100
при Тк=85°С:  
КТ943А 40 400
КТ943Б 40 320
КТ943В 40 250
КТ943Г 20 200
КТ943Д 30 300
при Тк=-45°С:  
КТ943А, КТ943Б, КТ943В 15  
КТ943Г, КТ943Д 5  
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте (ƒ=10 МГц)		 h21 Э 3   10   250  
Обратный ток коллектора, мА: IК БО   UК Бmax      
при Тк=-45÷25°С:
КТ943А, КТ943Б, КТ943В   0,1
КТ943Г, КТ943Д 1
при Тк=85°С:  
КТ943А, КТ943Б, КТ943В 0,3
КТ943Г, КТ943Д 3

Предельные эксплуатационные данные КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д.

Постоянное напряжение коллектор-база
КТ943А 45 В
КТ943Б 60 В
КТ943В, КТ943Г, КТ943Д 100 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RБЭ=10 Ом или RБЭ=1 кОм)
КТ943А 45 В
КТ943Б, КТ943Д 60 В
КТ943В, КТ943Г 80 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер (RБЭ=10 Ом)
КТ943А 50 В
КТ943Б 75 В
КТ943Д 80 В
КТ943В, КТ943Г 100 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 5 В
Постоянный ток 2 А
Импульсный ток коллектора (τи≤1 мс, Q≥50) 6 А
Постоянный ток базы 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность 1 коллектора (Тк=-45÷25°С) 25 Вт
Температура перехода 150°С
Температура окружающей среды от -45°С до Тк=85°С

1 При Тк=25÷83°С РК max [Вт]=0,2 (150-Тк). Разрешается использование транзисторов в схемах кадровой развёртки телевизоров при τи=10 мс, Q≥2, IК и max≤3 А.

Транзистор КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д Транзистор КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д

Допускается пайка выводов паяльником с температурой 250°С в течение не более 3 секунд на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При эксплуатации транзистора следует учитывать возможность его самовозбуждения за счёт паразитных обратных связей монтажа.

 Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах. Корпус пластмассовый с жёсткими выводами. Масса транзистора не более 0,8 гр.

Чертёж КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943ДЧертёж КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д

Электрические параметры.

Параметр Буквенное
обозначение		 Значение Режим измерения
минимальное максимальное UКЭ (UКБ) В UБЭ, В IК, мА IБ, мА
Граничное напряжение, В: UКЭО гр         100  
КТ943А 45
КТ943Б, КТ943Д 60
КТ943В, КТ943Г 80
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В:		 UКЭ нас         1000 100
КТ943А, КТ943Б, КТ943В 0,6
КТ943Г, КТ943Д 1,2
Статический коэффициент
передачи тока в схеме ОЭ		 h21 Э   2   150  
при Тк=25°С:
КТ943А 40 200
КТ943Б 40 160
КТ943В 40 120
КТ943Г 20 60
КТ943Д 30 100
при Тк=85°С:  
КТ943А 40 400
КТ943Б 40 320
КТ943В 40 250
КТ943Г 20 200
КТ943Д 30 300
при Тк=-45°С:  
КТ943А, КТ943Б, КТ943В 15  
КТ943Г, КТ943Д 5  
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте (ƒ=10 МГц)		 h21 Э 3   10   250  
Обратный ток коллектора, мА: IК БО   UК Бmax      
при Тк=-45÷25°С:
КТ943А, КТ943Б, КТ943В   0,1
КТ943Г, КТ943Д 1
при Тк=85°С:  
КТ943А, КТ943Б, КТ943В 0,3
КТ943Г, КТ943Д 3

Предельные эксплуатационные данные КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д.

Постоянное напряжение коллектор-база
КТ943А 45 В
КТ943Б 60 В
КТ943В, КТ943Г, КТ943Д 100 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RБЭ=10 Ом или RБЭ=1 кОм)
КТ943А 45 В
КТ943Б, КТ943Д 60 В
КТ943В, КТ943Г 80 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер (RБЭ=10 Ом)
КТ943А 50 В
КТ943Б 75 В
КТ943Д 80 В
КТ943В, КТ943Г 100 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 5 В
Постоянный ток 2 А
Импульсный ток коллектора (τи≤1 мс, Q≥50) 6 А
Постоянный ток базы 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность 1 коллектора (Тк=-45÷25°С) 25 Вт
Температура перехода 150°С
Температура окружающей среды от -45°С до Тк=85°С

1 При Тк=25÷83°С РК max [Вт]=0,2 (150-Тк). Разрешается использование транзисторов в схемах кадровой развёртки телевизоров при τи=10 мс, Q≥2, IК и max≤3 А.

Транзистор КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д Транзистор КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д

Допускается пайка выводов паяльником с температурой 250°С в течение не более 3 секунд на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При эксплуатации транзистора следует учитывать возможность его самовозбуждения за счёт паразитных обратных связей монтажа.

]]> [/yandexrss][shortrss] Транзистор КТ842А, КТ842Б https://elektrouzel.ru/reference/transistors/323-tranzistor-kt842a-kt842b.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/323-tranzistor-kt842a-kt842b.html
Транзистор КТ842А, КТ842Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.

 Транзистор КТ842А, КТ842Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Выпускаются в металлическом корпусе с жёсткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 20 грамм.

Чертёж КТ842А, КТ842БЧертёж КТ842А, КТ842Б

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UКБ=4 В, IЭ=5 А, не менее 15
типовое значение 20
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при UКЭ=10 В, IК=0,2 А, не менее 10 МГц
Граничное напряжение при IК=50 мА
КТ842А 250 В
КТ842Б 150 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=5 А, IБ=1 А, не более 1,8 В
типовое значение 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=5 А, IБ=1 А, не более 1,8 В
типовое значение 1,1 В
Время включения при UКЭ=20 В, IК=2 А, IБ=0,5 А, типовое значение 0,12 мкс
Время спада при UКЭ=20 В, IК=2 А, IБ=0,5 А, типовое значение 0,13 мкс
Время рассасывания при UКЭ=20 В, IК=2 А, IБ=0,5 А, типовое значение 0,8 мкс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, типовое значение 250 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=UКБ, макс, не более 1 мА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=3 В, не более 5 мА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
КТ842А 300 В
КТ842Б 200 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при Rбэ=10 Ом
КТ842А 300 В
КТ842Б 200 В
при Rбэ=∞
КТ842А 250 В
КТ842Б 150 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 5 А
Импульсный ток коллектора при τи=10 мс 8 А
Постоянный ток базы 1 А
Импульсный ток базы при τи=10 мс 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=-45...+25°С
с теплоотводом 1 50 Вт
без теплоотвода 2 3 Вт
Температура p-n перехода +150°С
Температура окружающей среды -45...+100°С

1 При Тк>+25°С PК. макс уменьшается линейно до 20 Вт при Тк=+100°С.

2 При Т>+25°С PК. макс уменьшается линейно до 1,2 Вт при Т=+100°С.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Области безопасной работы транзисторов. 4. Зависимости коэффициента К от длительности импульса.1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Области безопасной работы транзисторов. 4. Зависимости коэффициента К от длительности импульса.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Области безопасной работы транзисторов. 4. Зависимости коэффициента К от длительности импульса.

]]> Транзисторы pickvik Sat, 02 Apr 2016 13:32:48 +0300 [/shortrss] [fullrss] Транзистор КТ842А, КТ842Б https://elektrouzel.ru/reference/transistors/323-tranzistor-kt842a-kt842b.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/323-tranzistor-kt842a-kt842b.html Транзистор КТ842А, КТ842Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.

]]> Транзистор КТ842А, КТ842Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Выпускаются в металлическом корпусе с жёсткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 20 грамм.

Чертёж КТ842А, КТ842БЧертёж КТ842А, КТ842Б

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UКБ=4 В, IЭ=5 А, не менее 15
типовое значение 20
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при UКЭ=10 В, IК=0,2 А, не менее 10 МГц
Граничное напряжение при IК=50 мА
КТ842А 250 В
КТ842Б 150 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=5 А, IБ=1 А, не более 1,8 В
типовое значение 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=5 А, IБ=1 А, не более 1,8 В
типовое значение 1,1 В
Время включения при UКЭ=20 В, IК=2 А, IБ=0,5 А, типовое значение 0,12 мкс
Время спада при UКЭ=20 В, IК=2 А, IБ=0,5 А, типовое значение 0,13 мкс
Время рассасывания при UКЭ=20 В, IК=2 А, IБ=0,5 А, типовое значение 0,8 мкс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, типовое значение 250 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=UКБ, макс, не более 1 мА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=3 В, не более 5 мА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
КТ842А 300 В
КТ842Б 200 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при Rбэ=10 Ом
КТ842А 300 В
КТ842Б 200 В
при Rбэ=∞
КТ842А 250 В
КТ842Б 150 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 5 А
Импульсный ток коллектора при τи=10 мс 8 А
Постоянный ток базы 1 А
Импульсный ток базы при τи=10 мс 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=-45...+25°С
с теплоотводом 1 50 Вт
без теплоотвода 2 3 Вт
Температура p-n перехода +150°С
Температура окружающей среды -45...+100°С

1 При Тк>+25°С PК. макс уменьшается линейно до 20 Вт при Тк=+100°С.

2 При Т>+25°С PК. макс уменьшается линейно до 1,2 Вт при Т=+100°С.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Области безопасной работы транзисторов. 4. Зависимости коэффициента К от длительности импульса.1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Области безопасной работы транзисторов. 4. Зависимости коэффициента К от длительности импульса.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Области безопасной работы транзисторов. 4. Зависимости коэффициента К от длительности импульса.

]]> pickvik Sat, 02 Apr 2016 13:32:48 +0300 [/fullrss] [yandexrss] Транзистор КТ842А, КТ842Б https://elektrouzel.ru/reference/transistors/323-tranzistor-kt842a-kt842b.html
Транзистор КТ842А, КТ842Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.

 Транзисторы Sat, 02 Apr 2016 13:32:48 +0300
Транзистор КТ842А, КТ842Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Выпускаются в металлическом корпусе с жёсткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 20 грамм.

Чертёж КТ842А, КТ842БЧертёж КТ842А, КТ842Б

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UКБ=4 В, IЭ=5 А, не менее 15
типовое значение 20
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при UКЭ=10 В, IК=0,2 А, не менее 10 МГц
Граничное напряжение при IК=50 мА
КТ842А 250 В
КТ842Б 150 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=5 А, IБ=1 А, не более 1,8 В
типовое значение 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=5 А, IБ=1 А, не более 1,8 В
типовое значение 1,1 В
Время включения при UКЭ=20 В, IК=2 А, IБ=0,5 А, типовое значение 0,12 мкс
Время спада при UКЭ=20 В, IК=2 А, IБ=0,5 А, типовое значение 0,13 мкс
Время рассасывания при UКЭ=20 В, IК=2 А, IБ=0,5 А, типовое значение 0,8 мкс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, типовое значение 250 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=UКБ, макс, не более 1 мА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=3 В, не более 5 мА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
КТ842А 300 В
КТ842Б 200 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при Rбэ=10 Ом
КТ842А 300 В
КТ842Б 200 В
при Rбэ=∞
КТ842А 250 В
КТ842Б 150 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 5 А
Импульсный ток коллектора при τи=10 мс 8 А
Постоянный ток базы 1 А
Импульсный ток базы при τи=10 мс 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=-45...+25°С
с теплоотводом 1 50 Вт
без теплоотвода 2 3 Вт
Температура p-n перехода +150°С
Температура окружающей среды -45...+100°С

1 При Тк>+25°С PК. макс уменьшается линейно до 20 Вт при Тк=+100°С.

2 При Т>+25°С PК. макс уменьшается линейно до 1,2 Вт при Т=+100°С.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Области безопасной работы транзисторов. 4. Зависимости коэффициента К от длительности импульса.1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Области безопасной работы транзисторов. 4. Зависимости коэффициента К от длительности импульса.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Области безопасной работы транзисторов. 4. Зависимости коэффициента К от длительности импульса.

 Транзистор КТ842А, КТ842Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Выпускаются в металлическом корпусе с жёсткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 20 грамм.

Чертёж КТ842А, КТ842БЧертёж КТ842А, КТ842Б

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UКБ=4 В, IЭ=5 А, не менее 15
типовое значение 20
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при UКЭ=10 В, IК=0,2 А, не менее 10 МГц
Граничное напряжение при IК=50 мА
КТ842А 250 В
КТ842Б 150 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=5 А, IБ=1 А, не более 1,8 В
типовое значение 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=5 А, IБ=1 А, не более 1,8 В
типовое значение 1,1 В
Время включения при UКЭ=20 В, IК=2 А, IБ=0,5 А, типовое значение 0,12 мкс
Время спада при UКЭ=20 В, IК=2 А, IБ=0,5 А, типовое значение 0,13 мкс
Время рассасывания при UКЭ=20 В, IК=2 А, IБ=0,5 А, типовое значение 0,8 мкс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, типовое значение 250 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=UКБ, макс, не более 1 мА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=3 В, не более 5 мА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
КТ842А 300 В
КТ842Б 200 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при Rбэ=10 Ом
КТ842А 300 В
КТ842Б 200 В
при Rбэ=∞
КТ842А 250 В
КТ842Б 150 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 5 А
Импульсный ток коллектора при τи=10 мс 8 А
Постоянный ток базы 1 А
Импульсный ток базы при τи=10 мс 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=-45...+25°С
с теплоотводом 1 50 Вт
без теплоотвода 2 3 Вт
Температура p-n перехода +150°С
Температура окружающей среды -45...+100°С

1 При Тк>+25°С PК. макс уменьшается линейно до 20 Вт при Тк=+100°С.

2 При Т>+25°С PК. макс уменьшается линейно до 1,2 Вт при Т=+100°С.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Области безопасной работы транзисторов. 4. Зависимости коэффициента К от длительности импульса.1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Области безопасной работы транзисторов. 4. Зависимости коэффициента К от длительности импульса.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Области безопасной работы транзисторов. 4. Зависимости коэффициента К от длительности импульса.

]]> [/yandexrss][shortrss] Транзистор ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В https://elektrouzel.ru/reference/transistors/322-tranzistor-gt322a-gt322b-gt322v.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/322-tranzistor-gt322a-gt322b-gt322v.html
ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322ВГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях промежуточной и высокой частот.

 ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322ВГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В

Транзисторы ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях промежуточной и высокой частот. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Корпус транзистора электрически соединён с дополнительным (четвёртым) выводом и может быть использован в качестве экрана. Вывод эмиттера, базы и коллектора электрически изолированы от корпуса транзистора. Масса транзистора не более 0,6 грамм.

Чертёж ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322ВЧертёж ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В

Электрические параметры.

Коэффициент шума при ƒ=1,6 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более 4 дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IК=1 мА
ГТ322А 30-100
ГТ322Б 50-120
ГТ322В 20-120
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=20 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не менее
ГТ322А, ГТ322Б 4
ГТ322В 2,5
Постоянная времени цепи обратной связи при ƒ=5 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более
ГТ322А 50 пс
ГТ322Б 100 пс
ГТ322В 200 пс
Ёмкость коллекторного перехода при ƒ=10 МГц, UКБ=5 В, не более
ГТ322А, ГТ322Б 1,8 пФ
ГТ322В 2,5 пФ
Входное сопротивление в схеме с общей базой при UКЭ=5 В, IЭ=1 мА, ƒ=50÷1000 Гц, не более 34 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой при UКЭ=5 В, IЭ=1 мА, ƒ=50÷1000 Гц, не более 1 мкСм
Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более
при Т=19,85°С 4 мкА
при Т=54,85°С 100 мкА

Предельные эксплуатационные данные ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при Т=-40,15 и 54,85°С, RБЭ≤10 кОм
ГТ322А, ГТ322В 10 В
ГТ322Б 6 В
при Т=19,85°С, RБЭ=10 кОм 15 В
Постоянное напряжение коллектор-база 25 В
Постоянный ток коллектора 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т=233-298 К 50 мВт
при Т=54,85°С 10 мВт
Тепловое сопротивление переход-среда 0,7 К/мВт
Температура перехода
ГТ322А, ГТ322В 61,85°С
ГТ322Б 58,85°С
Температура окружающей среды От -40,15 до 54,85°С

1-2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры. 4. Зависимость относительного коэффициента шума от частоты.1-2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры. 4. Зависимость относительного коэффициента шума от частоты.

1-2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры. 4. Зависимость относительного коэффициента шума от частоты.

]]> Транзисторы pickvik Tue, 26 Jan 2016 19:17:19 +0300 [/shortrss] [fullrss] Транзистор ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В https://elektrouzel.ru/reference/transistors/322-tranzistor-gt322a-gt322b-gt322v.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/322-tranzistor-gt322a-gt322b-gt322v.html ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322ВГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях промежуточной и высокой частот.

]]> ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322ВГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В

Транзисторы ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях промежуточной и высокой частот. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Корпус транзистора электрически соединён с дополнительным (четвёртым) выводом и может быть использован в качестве экрана. Вывод эмиттера, базы и коллектора электрически изолированы от корпуса транзистора. Масса транзистора не более 0,6 грамм.

Чертёж ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322ВЧертёж ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В

Электрические параметры.

Коэффициент шума при ƒ=1,6 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более 4 дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IК=1 мА
ГТ322А 30-100
ГТ322Б 50-120
ГТ322В 20-120
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=20 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не менее
ГТ322А, ГТ322Б 4
ГТ322В 2,5
Постоянная времени цепи обратной связи при ƒ=5 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более
ГТ322А 50 пс
ГТ322Б 100 пс
ГТ322В 200 пс
Ёмкость коллекторного перехода при ƒ=10 МГц, UКБ=5 В, не более
ГТ322А, ГТ322Б 1,8 пФ
ГТ322В 2,5 пФ
Входное сопротивление в схеме с общей базой при UКЭ=5 В, IЭ=1 мА, ƒ=50÷1000 Гц, не более 34 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой при UКЭ=5 В, IЭ=1 мА, ƒ=50÷1000 Гц, не более 1 мкСм
Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более
при Т=19,85°С 4 мкА
при Т=54,85°С 100 мкА

Предельные эксплуатационные данные ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при Т=-40,15 и 54,85°С, RБЭ≤10 кОм
ГТ322А, ГТ322В 10 В
ГТ322Б 6 В
при Т=19,85°С, RБЭ=10 кОм 15 В
Постоянное напряжение коллектор-база 25 В
Постоянный ток коллектора 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т=233-298 К 50 мВт
при Т=54,85°С 10 мВт
Тепловое сопротивление переход-среда 0,7 К/мВт
Температура перехода
ГТ322А, ГТ322В 61,85°С
ГТ322Б 58,85°С
Температура окружающей среды От -40,15 до 54,85°С

1-2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры. 4. Зависимость относительного коэффициента шума от частоты.1-2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры. 4. Зависимость относительного коэффициента шума от частоты.

1-2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры. 4. Зависимость относительного коэффициента шума от частоты.

]]> pickvik Tue, 26 Jan 2016 19:17:19 +0300 [/fullrss] [yandexrss] Транзистор ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В https://elektrouzel.ru/reference/transistors/322-tranzistor-gt322a-gt322b-gt322v.html
ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322ВГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях промежуточной и высокой частот.

 Транзисторы Tue, 26 Jan 2016 19:17:19 +0300
ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322ВГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В

Транзисторы ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях промежуточной и высокой частот. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Корпус транзистора электрически соединён с дополнительным (четвёртым) выводом и может быть использован в качестве экрана. Вывод эмиттера, базы и коллектора электрически изолированы от корпуса транзистора. Масса транзистора не более 0,6 грамм.

Чертёж ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322ВЧертёж ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В

Электрические параметры.

Коэффициент шума при ƒ=1,6 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более 4 дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IК=1 мА
ГТ322А 30-100
ГТ322Б 50-120
ГТ322В 20-120
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=20 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не менее
ГТ322А, ГТ322Б 4
ГТ322В 2,5
Постоянная времени цепи обратной связи при ƒ=5 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более
ГТ322А 50 пс
ГТ322Б 100 пс
ГТ322В 200 пс
Ёмкость коллекторного перехода при ƒ=10 МГц, UКБ=5 В, не более
ГТ322А, ГТ322Б 1,8 пФ
ГТ322В 2,5 пФ
Входное сопротивление в схеме с общей базой при UКЭ=5 В, IЭ=1 мА, ƒ=50÷1000 Гц, не более 34 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой при UКЭ=5 В, IЭ=1 мА, ƒ=50÷1000 Гц, не более 1 мкСм
Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более
при Т=19,85°С 4 мкА
при Т=54,85°С 100 мкА

Предельные эксплуатационные данные ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при Т=-40,15 и 54,85°С, RБЭ≤10 кОм
ГТ322А, ГТ322В 10 В
ГТ322Б 6 В
при Т=19,85°С, RБЭ=10 кОм 15 В
Постоянное напряжение коллектор-база 25 В
Постоянный ток коллектора 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т=233-298 К 50 мВт
при Т=54,85°С 10 мВт
Тепловое сопротивление переход-среда 0,7 К/мВт
Температура перехода
ГТ322А, ГТ322В 61,85°С
ГТ322Б 58,85°С
Температура окружающей среды От -40,15 до 54,85°С

1-2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры. 4. Зависимость относительного коэффициента шума от частоты.1-2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры. 4. Зависимость относительного коэффициента шума от частоты.

1-2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры. 4. Зависимость относительного коэффициента шума от частоты.

 ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322ВГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В

Транзисторы ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях промежуточной и высокой частот. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Корпус транзистора электрически соединён с дополнительным (четвёртым) выводом и может быть использован в качестве экрана. Вывод эмиттера, базы и коллектора электрически изолированы от корпуса транзистора. Масса транзистора не более 0,6 грамм.

Чертёж ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322ВЧертёж ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В

Электрические параметры.

Коэффициент шума при ƒ=1,6 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более 4 дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IК=1 мА
ГТ322А 30-100
ГТ322Б 50-120
ГТ322В 20-120
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=20 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не менее
ГТ322А, ГТ322Б 4
ГТ322В 2,5
Постоянная времени цепи обратной связи при ƒ=5 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более
ГТ322А 50 пс
ГТ322Б 100 пс
ГТ322В 200 пс
Ёмкость коллекторного перехода при ƒ=10 МГц, UКБ=5 В, не более
ГТ322А, ГТ322Б 1,8 пФ
ГТ322В 2,5 пФ
Входное сопротивление в схеме с общей базой при UКЭ=5 В, IЭ=1 мА, ƒ=50÷1000 Гц, не более 34 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой при UКЭ=5 В, IЭ=1 мА, ƒ=50÷1000 Гц, не более 1 мкСм
Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более
при Т=19,85°С 4 мкА
при Т=54,85°С 100 мкА

Предельные эксплуатационные данные ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при Т=-40,15 и 54,85°С, RБЭ≤10 кОм
ГТ322А, ГТ322В 10 В
ГТ322Б 6 В
при Т=19,85°С, RБЭ=10 кОм 15 В
Постоянное напряжение коллектор-база 25 В
Постоянный ток коллектора 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т=233-298 К 50 мВт
при Т=54,85°С 10 мВт
Тепловое сопротивление переход-среда 0,7 К/мВт
Температура перехода
ГТ322А, ГТ322В 61,85°С
ГТ322Б 58,85°С
Температура окружающей среды От -40,15 до 54,85°С

1-2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры. 4. Зависимость относительного коэффициента шума от частоты.1-2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры. 4. Зависимость относительного коэффициента шума от частоты.

1-2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость относительного обратного тока коллектора от температуры. 4. Зависимость относительного коэффициента шума от частоты.

]]> [/yandexrss][shortrss] Транзистор ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е https://elektrouzel.ru/reference/transistors/321-tranzistor-gt310a-gt310b-gt310v-gt310g-gt310d-gt310e.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/321-tranzistor-gt310a-gt310b-gt310v-gt310g-gt310d-gt310e.html

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты.

 Транзисторы ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,1 грамм.

Чертёж транзистора ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310ЕЧертёж транзистора ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е

Электрические параметры.

Коэффициент шума при ƒ=1,6 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более
ГТ310А, ГТ310Б 3 дБ
ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е 4 дБ
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при ƒ=50-1000 Гц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА
ГТ310А, ГТ310В, ГТ310Д 20-70
ГТ310Б, ГТ310Г, ГТ310Е 60-180
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=20 МГц, UКБ=5 В, IЭ=5 мА, не менее
ГТ310А, ГТ310Б 8
ГТ310В, ГТ310Г 6
ГТ310Д, ГТ310Е 5
Постоянная времени цепи обратной связи при ƒ=5 МГц, UКБ=5 В, IЭ=5 мА, не более
ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г 300 пс
ГТ310Д, ГТ310Е 500 пс
Входное сопротивление в схеме с общей базой при UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более 38 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой при UКБ=5 В, IЭ=5 мА, ƒ=50-1000 Гц, не более 3 мкСм

Предельные эксплуатационные данные ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при RБЭ=10 кОм 10 В
при RБЭ=200 кОм 6 В
Постоянное напряжение коллектор-база 12 В
Постоянный ток коллектора 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=от -40,15 до +34,85°С 20 мВт
Тепловое сопротивление переход-среда 2 К/мВт
Температура переход 74,85°С
Температура окружающей среды От -40,15 до 54,85°С

Примечание. Максимально-допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т=308-328 К определяется по формуле:

РК макс=(348-Т)/2.

]]> Транзисторы pickvik Tue, 26 Jan 2016 16:58:38 +0300 [/shortrss] [fullrss] Транзистор ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е https://elektrouzel.ru/reference/transistors/321-tranzistor-gt310a-gt310b-gt310v-gt310g-gt310d-gt310e.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/321-tranzistor-gt310a-gt310b-gt310v-gt310g-gt310d-gt310e.html

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты.

]]> Транзисторы ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,1 грамм.

Чертёж транзистора ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310ЕЧертёж транзистора ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е

Электрические параметры.

Коэффициент шума при ƒ=1,6 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более
ГТ310А, ГТ310Б 3 дБ
ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е 4 дБ
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при ƒ=50-1000 Гц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА
ГТ310А, ГТ310В, ГТ310Д 20-70
ГТ310Б, ГТ310Г, ГТ310Е 60-180
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=20 МГц, UКБ=5 В, IЭ=5 мА, не менее
ГТ310А, ГТ310Б 8
ГТ310В, ГТ310Г 6
ГТ310Д, ГТ310Е 5
Постоянная времени цепи обратной связи при ƒ=5 МГц, UКБ=5 В, IЭ=5 мА, не более
ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г 300 пс
ГТ310Д, ГТ310Е 500 пс
Входное сопротивление в схеме с общей базой при UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более 38 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой при UКБ=5 В, IЭ=5 мА, ƒ=50-1000 Гц, не более 3 мкСм

Предельные эксплуатационные данные ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при RБЭ=10 кОм 10 В
при RБЭ=200 кОм 6 В
Постоянное напряжение коллектор-база 12 В
Постоянный ток коллектора 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=от -40,15 до +34,85°С 20 мВт
Тепловое сопротивление переход-среда 2 К/мВт
Температура переход 74,85°С
Температура окружающей среды От -40,15 до 54,85°С

Примечание. Максимально-допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т=308-328 К определяется по формуле:

РК макс=(348-Т)/2.

]]> pickvik Tue, 26 Jan 2016 16:58:38 +0300 [/fullrss] [yandexrss] Транзистор ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е https://elektrouzel.ru/reference/transistors/321-tranzistor-gt310a-gt310b-gt310v-gt310g-gt310d-gt310e.html

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты.

 Транзисторы Tue, 26 Jan 2016 16:58:38 +0300

Транзисторы ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,1 грамм.

Чертёж транзистора ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310ЕЧертёж транзистора ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е

Электрические параметры.

Коэффициент шума при ƒ=1,6 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более
ГТ310А, ГТ310Б 3 дБ
ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е 4 дБ
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при ƒ=50-1000 Гц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА
ГТ310А, ГТ310В, ГТ310Д 20-70
ГТ310Б, ГТ310Г, ГТ310Е 60-180
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=20 МГц, UКБ=5 В, IЭ=5 мА, не менее
ГТ310А, ГТ310Б 8
ГТ310В, ГТ310Г 6
ГТ310Д, ГТ310Е 5
Постоянная времени цепи обратной связи при ƒ=5 МГц, UКБ=5 В, IЭ=5 мА, не более
ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г 300 пс
ГТ310Д, ГТ310Е 500 пс
Входное сопротивление в схеме с общей базой при UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более 38 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой при UКБ=5 В, IЭ=5 мА, ƒ=50-1000 Гц, не более 3 мкСм

Предельные эксплуатационные данные ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при RБЭ=10 кОм 10 В
при RБЭ=200 кОм 6 В
Постоянное напряжение коллектор-база 12 В
Постоянный ток коллектора 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=от -40,15 до +34,85°С 20 мВт
Тепловое сопротивление переход-среда 2 К/мВт
Температура переход 74,85°С
Температура окружающей среды От -40,15 до 54,85°С

Примечание. Максимально-допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т=308-328 К определяется по формуле:

РК макс=(348-Т)/2.

 Транзисторы ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,1 грамм.

Чертёж транзистора ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310ЕЧертёж транзистора ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е

Электрические параметры.

Коэффициент шума при ƒ=1,6 МГц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более
ГТ310А, ГТ310Б 3 дБ
ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е 4 дБ
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при ƒ=50-1000 Гц, UКБ=5 В, IЭ=1 мА
ГТ310А, ГТ310В, ГТ310Д 20-70
ГТ310Б, ГТ310Г, ГТ310Е 60-180
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=20 МГц, UКБ=5 В, IЭ=5 мА, не менее
ГТ310А, ГТ310Б 8
ГТ310В, ГТ310Г 6
ГТ310Д, ГТ310Е 5
Постоянная времени цепи обратной связи при ƒ=5 МГц, UКБ=5 В, IЭ=5 мА, не более
ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г 300 пс
ГТ310Д, ГТ310Е 500 пс
Входное сопротивление в схеме с общей базой при UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более 38 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой при UКБ=5 В, IЭ=5 мА, ƒ=50-1000 Гц, не более 3 мкСм

Предельные эксплуатационные данные ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
при RБЭ=10 кОм 10 В
при RБЭ=200 кОм 6 В
Постоянное напряжение коллектор-база 12 В
Постоянный ток коллектора 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=от -40,15 до +34,85°С 20 мВт
Тепловое сопротивление переход-среда 2 К/мВт
Температура переход 74,85°С
Температура окружающей среды От -40,15 до 54,85°С

Примечание. Максимально-допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т=308-328 К определяется по формуле:

РК макс=(348-Т)/2.

]]> [/yandexrss][shortrss] Оптотиристор МТОТО160 https://elektrouzel.ru/reference/thyristors/320-optotiristor-mtoto160.html https://elektrouzel.ru/reference/thyristors/320-optotiristor-mtoto160.html
Оптотиристор МТОТО160

Модуль силовой полупроводниковый МТОТО160 на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.

 Оптотиристор МТОТО160

Модуль силовой полупроводниковый МТОТО160 на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе. Масса не более 500 грамм.

Чертёж оптотиристора МТОТО160Чертёж оптотиристора МТОТО160

Электрические параметры.

Импульсное напряжение в открытом состоянии при Iо с, и=502 А, τи=10 мс, не более 1,75 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при Uа с=12 В, Iу, от=80 мА, не более 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при Uзс, и=Uзс, и, Тп=100°С, не менее 0,9 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Uзс, и=Uзс, и, Rу=∞, Тп=100°С, не более 6,0 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при Uобр. и=Uобр. и, Rу=∞, Тп=100°С, не более 6,0 мА
Отпирающий постоянный ток управления при Uзс=12 В, не более 80 мА
Время включения при Uзс=100 В, Iо с, и=Iо с, ср max, не более 10 мкс
Время выключения при Uзс, и=0,67Uзс, п, duз с/dt=100 В/мкс, Uобр. п=100 В, Iо с, и=Iо с, ср max, (djо с/dt)сп=5 А/мкс, Тп=100°С, не более 100 мкс
Сопротивление изоляции оптопар модуля не менее 1000 МОм
Сопротивление изоляции основания модуля (при нормальных условиях), не менее 40 МОм
Тепловое сопротивление переход-корпус, не более 0,15°С/Вт

Предельные эксплуатационные данные МТОТО160.

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии 400-1600 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии 1,12 Uз с, п В
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии 0,8 Uз с, п В
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии 0,75 Uз с, п В
Повторяющееся импульсное обратное напряжение 400-1600 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение 1,12 Uобр. п В
Рабочее импульсное обратное напряжение 0,8 Uобр. п В
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение 0,75 Uобр. п В
Максимальное напряжение изоляции основания модуля 2500 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Uзс, и=0,67Uзс, п, Rу=∞, Тп=100°С 100 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при ƒ=50 Гц, β=180°, Тп=70°С 160 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при ƒ=50 Гц, Тп=70°С 250 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Uобр=0, τи=10 мс, Тп=100°С 3,2 кА
Максимально допустимый постоянный ток управления 100 мА
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии
при Uзс, и=0,67Uзс, п, Iо с, и=2Iо с, ср max, ƒ=1-5 Гц, Iу, пр, п=400-600 мА, ty=50 мкс, Тп=100°С		 70 А/мкс
Температура перехода От -50 до +100°С
Температура хранения От -50 до +50°С
]]> Тиристоры pickvik Sun, 17 Jan 2016 19:07:44 +0300 [/shortrss] [fullrss] Оптотиристор МТОТО160 https://elektrouzel.ru/reference/thyristors/320-optotiristor-mtoto160.html https://elektrouzel.ru/reference/thyristors/320-optotiristor-mtoto160.html Оптотиристор МТОТО160

Модуль силовой полупроводниковый МТОТО160 на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.

]]> Оптотиристор МТОТО160

Модуль силовой полупроводниковый МТОТО160 на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе. Масса не более 500 грамм.

Чертёж оптотиристора МТОТО160Чертёж оптотиристора МТОТО160

Электрические параметры.

Импульсное напряжение в открытом состоянии при Iо с, и=502 А, τи=10 мс, не более 1,75 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при Uа с=12 В, Iу, от=80 мА, не более 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при Uзс, и=Uзс, и, Тп=100°С, не менее 0,9 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Uзс, и=Uзс, и, Rу=∞, Тп=100°С, не более 6,0 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при Uобр. и=Uобр. и, Rу=∞, Тп=100°С, не более 6,0 мА
Отпирающий постоянный ток управления при Uзс=12 В, не более 80 мА
Время включения при Uзс=100 В, Iо с, и=Iо с, ср max, не более 10 мкс
Время выключения при Uзс, и=0,67Uзс, п, duз с/dt=100 В/мкс, Uобр. п=100 В, Iо с, и=Iо с, ср max, (djо с/dt)сп=5 А/мкс, Тп=100°С, не более 100 мкс
Сопротивление изоляции оптопар модуля не менее 1000 МОм
Сопротивление изоляции основания модуля (при нормальных условиях), не менее 40 МОм
Тепловое сопротивление переход-корпус, не более 0,15°С/Вт

Предельные эксплуатационные данные МТОТО160.

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии 400-1600 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии 1,12 Uз с, п В
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии 0,8 Uз с, п В
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии 0,75 Uз с, п В
Повторяющееся импульсное обратное напряжение 400-1600 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение 1,12 Uобр. п В
Рабочее импульсное обратное напряжение 0,8 Uобр. п В
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение 0,75 Uобр. п В
Максимальное напряжение изоляции основания модуля 2500 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Uзс, и=0,67Uзс, п, Rу=∞, Тп=100°С 100 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при ƒ=50 Гц, β=180°, Тп=70°С 160 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при ƒ=50 Гц, Тп=70°С 250 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Uобр=0, τи=10 мс, Тп=100°С 3,2 кА
Максимально допустимый постоянный ток управления 100 мА
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии
при Uзс, и=0,67Uзс, п, Iо с, и=2Iо с, ср max, ƒ=1-5 Гц, Iу, пр, п=400-600 мА, ty=50 мкс, Тп=100°С		 70 А/мкс
Температура перехода От -50 до +100°С
Температура хранения От -50 до +50°С
]]> pickvik Sun, 17 Jan 2016 19:07:44 +0300 [/fullrss] [yandexrss] Оптотиристор МТОТО160 https://elektrouzel.ru/reference/thyristors/320-optotiristor-mtoto160.html
Оптотиристор МТОТО160

Модуль силовой полупроводниковый МТОТО160 на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.

 Тиристоры Sun, 17 Jan 2016 19:07:44 +0300
Оптотиристор МТОТО160

Модуль силовой полупроводниковый МТОТО160 на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе. Масса не более 500 грамм.

Чертёж оптотиристора МТОТО160Чертёж оптотиристора МТОТО160

Электрические параметры.

Импульсное напряжение в открытом состоянии при Iо с, и=502 А, τи=10 мс, не более 1,75 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при Uа с=12 В, Iу, от=80 мА, не более 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при Uзс, и=Uзс, и, Тп=100°С, не менее 0,9 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Uзс, и=Uзс, и, Rу=∞, Тп=100°С, не более 6,0 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при Uобр. и=Uобр. и, Rу=∞, Тп=100°С, не более 6,0 мА
Отпирающий постоянный ток управления при Uзс=12 В, не более 80 мА
Время включения при Uзс=100 В, Iо с, и=Iо с, ср max, не более 10 мкс
Время выключения при Uзс, и=0,67Uзс, п, duз с/dt=100 В/мкс, Uобр. п=100 В, Iо с, и=Iо с, ср max, (djо с/dt)сп=5 А/мкс, Тп=100°С, не более 100 мкс
Сопротивление изоляции оптопар модуля не менее 1000 МОм
Сопротивление изоляции основания модуля (при нормальных условиях), не менее 40 МОм
Тепловое сопротивление переход-корпус, не более 0,15°С/Вт

Предельные эксплуатационные данные МТОТО160.

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии 400-1600 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии 1,12 Uз с, п В
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии 0,8 Uз с, п В
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии 0,75 Uз с, п В
Повторяющееся импульсное обратное напряжение 400-1600 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение 1,12 Uобр. п В
Рабочее импульсное обратное напряжение 0,8 Uобр. п В
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение 0,75 Uобр. п В
Максимальное напряжение изоляции основания модуля 2500 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Uзс, и=0,67Uзс, п, Rу=∞, Тп=100°С 100 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при ƒ=50 Гц, β=180°, Тп=70°С 160 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при ƒ=50 Гц, Тп=70°С 250 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Uобр=0, τи=10 мс, Тп=100°С 3,2 кА
Максимально допустимый постоянный ток управления 100 мА
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии
при Uзс, и=0,67Uзс, п, Iо с, и=2Iо с, ср max, ƒ=1-5 Гц, Iу, пр, п=400-600 мА, ty=50 мкс, Тп=100°С		 70 А/мкс
Температура перехода От -50 до +100°С
Температура хранения От -50 до +50°С
Оптотиристор МТОТО160

Модуль силовой полупроводниковый МТОТО160 на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе. Масса не более 500 грамм.

Чертёж оптотиристора МТОТО160Чертёж оптотиристора МТОТО160

Электрические параметры.

Импульсное напряжение в открытом состоянии при Iо с, и=502 А, τи=10 мс, не более 1,75 В
Отпирающее постоянное напряжение управления при Uа с=12 В, Iу, от=80 мА, не более 2,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления при Uзс, и=Uзс, и, Тп=100°С, не менее 0,9 В
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Uзс, и=Uзс, и, Rу=∞, Тп=100°С, не более 6,0 мА
Повторяющийся импульсный обратный ток при Uобр. и=Uобр. и, Rу=∞, Тп=100°С, не более 6,0 мА
Отпирающий постоянный ток управления при Uзс=12 В, не более 80 мА
Время включения при Uзс=100 В, Iо с, и=Iо с, ср max, не более 10 мкс
Время выключения при Uзс, и=0,67Uзс, п, duз с/dt=100 В/мкс, Uобр. п=100 В, Iо с, и=Iо с, ср max, (djо с/dt)сп=5 А/мкс, Тп=100°С, не более 100 мкс
Сопротивление изоляции оптопар модуля не менее 1000 МОм
Сопротивление изоляции основания модуля (при нормальных условиях), не менее 40 МОм
Тепловое сопротивление переход-корпус, не более 0,15°С/Вт

Предельные эксплуатационные данные МТОТО160.

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии 400-1600 В
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии 1,12 Uз с, п В
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии 0,8 Uз с, п В
Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии 0,75 Uз с, п В
Повторяющееся импульсное обратное напряжение 400-1600 В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение 1,12 Uобр. п В
Рабочее импульсное обратное напряжение 0,8 Uобр. п В
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение 0,75 Uобр. п В
Максимальное напряжение изоляции основания модуля 2500 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Uзс, и=0,67Uзс, п, Rу=∞, Тп=100°С 100 В/мкс
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при ƒ=50 Гц, β=180°, Тп=70°С 160 А
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при ƒ=50 Гц, Тп=70°С 250 А
Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Uобр=0, τи=10 мс, Тп=100°С 3,2 кА
Максимально допустимый постоянный ток управления 100 мА
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии
при Uзс, и=0,67Uзс, п, Iо с, и=2Iо с, ср max, ƒ=1-5 Гц, Iу, пр, п=400-600 мА, ty=50 мкс, Тп=100°С		 70 А/мкс
Температура перехода От -50 до +100°С
Температура хранения От -50 до +50°С
]]> [/yandexrss][shortrss] Транзистор КТ840А, КТ840Б https://elektrouzel.ru/reference/transistors/319-tranzistor-kt840a-kt840b.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/319-tranzistor-kt840a-kt840b.html
КТ840А, КТ840БКТ840А, КТ840Б

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n переключательные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах.

 КТ840А, КТ840БКТ840А, КТ840Б

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n переключательные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Масса транзистора не более 20 грамм.

Чертёж КТ840А, КТ840БЧертёж КТ840А, КТ840Б

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UКБ=5 В
IК=0,6 А 10...30...100
IК=0,1 А, не менее 10
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при UКЭ=10 В, IК=0,2 А, ƒ=1 МГц 8...12...15
Граничное напряжение при IК=0,1 А, не менее
КТ840А 400 В
КТ840Б 350 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=4 А, IБ=1,25 А 0,4...1...3 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=4 А, IБ=1,25 А 1,2...1,4...1,6 В
Время включения при UКЭ=200 В, IК=2,5 А, IБ=0,5 А 0,08...0,1...0,2 мкс
Время спада при UКЭ=200 В, IК=2,5 А, IБ=0,5 А 0,15...0,3...0,6 мкс
Время рассасывания при UКЭ=200 В, IК=2,5 А, IБ=0,5 А 0,4...0,8...3,5 мкс
Обратный ток коллектора при UКБ=UКБ, макс
Тк=+25°С 0,1...0,5...3 мА
Тк=-45°С 0,5...1,5...5 мА
Тк=+100°С 0,5...1,5...5 мА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=100 Ом
КТ840А 400 В
КТ840Б 350 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер* при UБЭ=1,5 В, τи≤80 мкс, τφ≥1 мкс, Q≥2
Тк=-20...+100°С КТ840А 900 В
Тк=-20...+90°С КТ840Б 750 В
Импульсное напряжение коллектор-база* при τи≤80 мкс, τφ≥1 мкс, Q≥2
Тк=-20...+100°С КТ840А 900 В
Тк=-20...+90°С КТ840Б 750 В
Постоянный ток коллектора 6 А
Импульсный ток коллектора при τи≤20 мкс, Q≥3 8 А
Постоянный ток базы 2 А
Импульсный ток базы при τи≤20 мкс, Q≥3 3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при UКЭ≤30 В, Тк=-45...+50°С 60 Вт
Температура p-n перехода +150°С
Температура окружающей среды -45°С...Тк=+100°С

* Для транзисторов КТ840А при Тк=-20÷+45°С UКЭХ и макс, UКБ и макс снижаются линейно до 750 В; для транзисторов КТ840Б при Тк=90÷100°С напряжения снижаются линейно до 700 В и при Тк=-20÷+45°С до 600 В.

* При Тк>50°С РК макс [Вт] = (150-Тк) / Rт п, к, где Rт п, к - тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое из области максимальных режимов; например при UКЭ=30 В, IК=2 А, Rт п, к=1,67°С/Вт.


1. Области максимальных режимов. 2. Зависимость максимально допустимого импульсного напряжения от скважности. 1. Области максимальных режимов. 2. Зависимость максимально допустимого импульсного напряжения от скважности.

1. Области максимальных режимов. 2. Зависимость максимально допустимого импульсного напряжения от скважности.

]]> Транзисторы pickvik Wed, 13 Jan 2016 18:45:33 +0300 [/shortrss] [fullrss] Транзистор КТ840А, КТ840Б https://elektrouzel.ru/reference/transistors/319-tranzistor-kt840a-kt840b.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/319-tranzistor-kt840a-kt840b.html КТ840А, КТ840БКТ840А, КТ840Б

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n переключательные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах.

]]> КТ840А, КТ840БКТ840А, КТ840Б

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n переключательные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Масса транзистора не более 20 грамм.

Чертёж КТ840А, КТ840БЧертёж КТ840А, КТ840Б

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UКБ=5 В
IК=0,6 А 10...30...100
IК=0,1 А, не менее 10
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при UКЭ=10 В, IК=0,2 А, ƒ=1 МГц 8...12...15
Граничное напряжение при IК=0,1 А, не менее
КТ840А 400 В
КТ840Б 350 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=4 А, IБ=1,25 А 0,4...1...3 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=4 А, IБ=1,25 А 1,2...1,4...1,6 В
Время включения при UКЭ=200 В, IК=2,5 А, IБ=0,5 А 0,08...0,1...0,2 мкс
Время спада при UКЭ=200 В, IК=2,5 А, IБ=0,5 А 0,15...0,3...0,6 мкс
Время рассасывания при UКЭ=200 В, IК=2,5 А, IБ=0,5 А 0,4...0,8...3,5 мкс
Обратный ток коллектора при UКБ=UКБ, макс
Тк=+25°С 0,1...0,5...3 мА
Тк=-45°С 0,5...1,5...5 мА
Тк=+100°С 0,5...1,5...5 мА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=100 Ом
КТ840А 400 В
КТ840Б 350 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер* при UБЭ=1,5 В, τи≤80 мкс, τφ≥1 мкс, Q≥2
Тк=-20...+100°С КТ840А 900 В
Тк=-20...+90°С КТ840Б 750 В
Импульсное напряжение коллектор-база* при τи≤80 мкс, τφ≥1 мкс, Q≥2
Тк=-20...+100°С КТ840А 900 В
Тк=-20...+90°С КТ840Б 750 В
Постоянный ток коллектора 6 А
Импульсный ток коллектора при τи≤20 мкс, Q≥3 8 А
Постоянный ток базы 2 А
Импульсный ток базы при τи≤20 мкс, Q≥3 3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при UКЭ≤30 В, Тк=-45...+50°С 60 Вт
Температура p-n перехода +150°С
Температура окружающей среды -45°С...Тк=+100°С

* Для транзисторов КТ840А при Тк=-20÷+45°С UКЭХ и макс, UКБ и макс снижаются линейно до 750 В; для транзисторов КТ840Б при Тк=90÷100°С напряжения снижаются линейно до 700 В и при Тк=-20÷+45°С до 600 В.

* При Тк>50°С РК макс [Вт] = (150-Тк) / Rт п, к, где Rт п, к - тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое из области максимальных режимов; например при UКЭ=30 В, IК=2 А, Rт п, к=1,67°С/Вт.


1. Области максимальных режимов. 2. Зависимость максимально допустимого импульсного напряжения от скважности. 1. Области максимальных режимов. 2. Зависимость максимально допустимого импульсного напряжения от скважности.

1. Области максимальных режимов. 2. Зависимость максимально допустимого импульсного напряжения от скважности.

]]> pickvik Wed, 13 Jan 2016 18:45:33 +0300 [/fullrss] [yandexrss] Транзистор КТ840А, КТ840Б https://elektrouzel.ru/reference/transistors/319-tranzistor-kt840a-kt840b.html
КТ840А, КТ840БКТ840А, КТ840Б

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n переключательные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах.

 Транзисторы Wed, 13 Jan 2016 18:45:33 +0300
КТ840А, КТ840БКТ840А, КТ840Б

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n переключательные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Масса транзистора не более 20 грамм.

Чертёж КТ840А, КТ840БЧертёж КТ840А, КТ840Б

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UКБ=5 В
IК=0,6 А 10...30...100
IК=0,1 А, не менее 10
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при UКЭ=10 В, IК=0,2 А, ƒ=1 МГц 8...12...15
Граничное напряжение при IК=0,1 А, не менее
КТ840А 400 В
КТ840Б 350 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=4 А, IБ=1,25 А 0,4...1...3 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=4 А, IБ=1,25 А 1,2...1,4...1,6 В
Время включения при UКЭ=200 В, IК=2,5 А, IБ=0,5 А 0,08...0,1...0,2 мкс
Время спада при UКЭ=200 В, IК=2,5 А, IБ=0,5 А 0,15...0,3...0,6 мкс
Время рассасывания при UКЭ=200 В, IК=2,5 А, IБ=0,5 А 0,4...0,8...3,5 мкс
Обратный ток коллектора при UКБ=UКБ, макс
Тк=+25°С 0,1...0,5...3 мА
Тк=-45°С 0,5...1,5...5 мА
Тк=+100°С 0,5...1,5...5 мА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=100 Ом
КТ840А 400 В
КТ840Б 350 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер* при UБЭ=1,5 В, τи≤80 мкс, τφ≥1 мкс, Q≥2
Тк=-20...+100°С КТ840А 900 В
Тк=-20...+90°С КТ840Б 750 В
Импульсное напряжение коллектор-база* при τи≤80 мкс, τφ≥1 мкс, Q≥2
Тк=-20...+100°С КТ840А 900 В
Тк=-20...+90°С КТ840Б 750 В
Постоянный ток коллектора 6 А
Импульсный ток коллектора при τи≤20 мкс, Q≥3 8 А
Постоянный ток базы 2 А
Импульсный ток базы при τи≤20 мкс, Q≥3 3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при UКЭ≤30 В, Тк=-45...+50°С 60 Вт
Температура p-n перехода +150°С
Температура окружающей среды -45°С...Тк=+100°С

* Для транзисторов КТ840А при Тк=-20÷+45°С UКЭХ и макс, UКБ и макс снижаются линейно до 750 В; для транзисторов КТ840Б при Тк=90÷100°С напряжения снижаются линейно до 700 В и при Тк=-20÷+45°С до 600 В.

* При Тк>50°С РК макс [Вт] = (150-Тк) / Rт п, к, где Rт п, к - тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое из области максимальных режимов; например при UКЭ=30 В, IК=2 А, Rт п, к=1,67°С/Вт.


1. Области максимальных режимов. 2. Зависимость максимально допустимого импульсного напряжения от скважности. 1. Области максимальных режимов. 2. Зависимость максимально допустимого импульсного напряжения от скважности.

1. Области максимальных режимов. 2. Зависимость максимально допустимого импульсного напряжения от скважности.

 КТ840А, КТ840БКТ840А, КТ840Б

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n переключательные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Масса транзистора не более 20 грамм.

Чертёж КТ840А, КТ840БЧертёж КТ840А, КТ840Б

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UКБ=5 В
IК=0,6 А 10...30...100
IК=0,1 А, не менее 10
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при UКЭ=10 В, IК=0,2 А, ƒ=1 МГц 8...12...15
Граничное напряжение при IК=0,1 А, не менее
КТ840А 400 В
КТ840Б 350 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=4 А, IБ=1,25 А 0,4...1...3 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=4 А, IБ=1,25 А 1,2...1,4...1,6 В
Время включения при UКЭ=200 В, IК=2,5 А, IБ=0,5 А 0,08...0,1...0,2 мкс
Время спада при UКЭ=200 В, IК=2,5 А, IБ=0,5 А 0,15...0,3...0,6 мкс
Время рассасывания при UКЭ=200 В, IК=2,5 А, IБ=0,5 А 0,4...0,8...3,5 мкс
Обратный ток коллектора при UКБ=UКБ, макс
Тк=+25°С 0,1...0,5...3 мА
Тк=-45°С 0,5...1,5...5 мА
Тк=+100°С 0,5...1,5...5 мА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=100 Ом
КТ840А 400 В
КТ840Б 350 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер* при UБЭ=1,5 В, τи≤80 мкс, τφ≥1 мкс, Q≥2
Тк=-20...+100°С КТ840А 900 В
Тк=-20...+90°С КТ840Б 750 В
Импульсное напряжение коллектор-база* при τи≤80 мкс, τφ≥1 мкс, Q≥2
Тк=-20...+100°С КТ840А 900 В
Тк=-20...+90°С КТ840Б 750 В
Постоянный ток коллектора 6 А
Импульсный ток коллектора при τи≤20 мкс, Q≥3 8 А
Постоянный ток базы 2 А
Импульсный ток базы при τи≤20 мкс, Q≥3 3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при UКЭ≤30 В, Тк=-45...+50°С 60 Вт
Температура p-n перехода +150°С
Температура окружающей среды -45°С...Тк=+100°С

* Для транзисторов КТ840А при Тк=-20÷+45°С UКЭХ и макс, UКБ и макс снижаются линейно до 750 В; для транзисторов КТ840Б при Тк=90÷100°С напряжения снижаются линейно до 700 В и при Тк=-20÷+45°С до 600 В.

* При Тк>50°С РК макс [Вт] = (150-Тк) / Rт п, к, где Rт п, к - тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое из области максимальных режимов; например при UКЭ=30 В, IК=2 А, Rт п, к=1,67°С/Вт.


1. Области максимальных режимов. 2. Зависимость максимально допустимого импульсного напряжения от скважности. 1. Области максимальных режимов. 2. Зависимость максимально допустимого импульсного напряжения от скважности.

1. Области максимальных режимов. 2. Зависимость максимально допустимого импульсного напряжения от скважности.

]]> [/yandexrss][shortrss] Транзистор КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И https://elektrouzel.ru/reference/transistors/318-tranzistor-kt639a-kt639b-kt639v-kt639g-kt639d-kt639e-kt639zh-kt639i.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/318-tranzistor-kt639a-kt639b-kt639v-kt639g-kt639d-kt639e-kt639zh-kt639i.html
КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639ИКТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, предназначены для применения в каскадах предварительного усиления и в переключающих устройствах.

 КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639ИКТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И

Транзисторы КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, предназначены для применения в каскадах предварительного усиления и в переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,7 грамм.

Чертёж КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639ИЧертёж КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UКБ=2 В, IЭ=150 мА
при Т=+25°С
КТ639А, КТ639Г, КТ639Е 40...100
КТ639Б, КТ639Д, КТ639Ж 63...160
КТ639В 100...250
КТ639И 180..400
при Т=+125°С 0,8h21Э, мин...3h21Э, макс
при Т=-65°С, не менее 0,3h21Э, мин
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при UКБ=5 В, IЭ=30 мА, ƒ=20 МГц 4...10...12
Граничное напряжение при IЭ=50 мА, не менее
КТ639А, КТ639Б, КТ639В 45 В
КТ639Г, КТ639Д 60 В
КТ639Ж 80 В
КТ639И 30 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=500 мА, IБ=50 мА 0,15...0,35...0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=500 мА, IБ=50 мА 0,92...0,96...1,25 В
Время рассасывания при IК=500 мА, IБ=50 мА, типовое значение 200 нс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В 15...20...50 пФ
Ёмкость коллекторного перехода при UЭБ=0,5 В 90...120...200 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=30 В, не более
Т=+25°С 100 нА
Т=+125°С 100 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=5 В, не более 100 нА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
КТ639А, КТ639Б, КТ639В 45 В
КТ639Г, КТ639Д 60 В
КТ639И 30 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ=1 кОм для КТ639Ж 100 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 1,5 А
Импульсный ток коллектора 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора* при Т=-60...+35°С 1 Вт
Температура p-n перехода +150°С
Тепловое сопротивление переход-среда 115°С/Вт
Температура окружающей среды -60...+125°С

* При Т>+35°С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из выражения:

PК, макс, Вт=(150-Т)÷115.


1. Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость граничной частоты от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.1. Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость граничной частоты от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

1. Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость граничной частоты от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

]]> Транзисторы pickvik Sun, 10 Jan 2016 17:46:22 +0300 [/shortrss] [fullrss] Транзистор КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И https://elektrouzel.ru/reference/transistors/318-tranzistor-kt639a-kt639b-kt639v-kt639g-kt639d-kt639e-kt639zh-kt639i.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/318-tranzistor-kt639a-kt639b-kt639v-kt639g-kt639d-kt639e-kt639zh-kt639i.html КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639ИКТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, предназначены для применения в каскадах предварительного усиления и в переключающих устройствах.

]]> КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639ИКТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И

Транзисторы КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, предназначены для применения в каскадах предварительного усиления и в переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,7 грамм.

Чертёж КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639ИЧертёж КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UКБ=2 В, IЭ=150 мА
при Т=+25°С
КТ639А, КТ639Г, КТ639Е 40...100
КТ639Б, КТ639Д, КТ639Ж 63...160
КТ639В 100...250
КТ639И 180..400
при Т=+125°С 0,8h21Э, мин...3h21Э, макс
при Т=-65°С, не менее 0,3h21Э, мин
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при UКБ=5 В, IЭ=30 мА, ƒ=20 МГц 4...10...12
Граничное напряжение при IЭ=50 мА, не менее
КТ639А, КТ639Б, КТ639В 45 В
КТ639Г, КТ639Д 60 В
КТ639Ж 80 В
КТ639И 30 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=500 мА, IБ=50 мА 0,15...0,35...0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=500 мА, IБ=50 мА 0,92...0,96...1,25 В
Время рассасывания при IК=500 мА, IБ=50 мА, типовое значение 200 нс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В 15...20...50 пФ
Ёмкость коллекторного перехода при UЭБ=0,5 В 90...120...200 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=30 В, не более
Т=+25°С 100 нА
Т=+125°С 100 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=5 В, не более 100 нА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
КТ639А, КТ639Б, КТ639В 45 В
КТ639Г, КТ639Д 60 В
КТ639И 30 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ=1 кОм для КТ639Ж 100 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 1,5 А
Импульсный ток коллектора 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора* при Т=-60...+35°С 1 Вт
Температура p-n перехода +150°С
Тепловое сопротивление переход-среда 115°С/Вт
Температура окружающей среды -60...+125°С

* При Т>+35°С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из выражения:

PК, макс, Вт=(150-Т)÷115.


1. Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость граничной частоты от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.1. Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость граничной частоты от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

1. Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость граничной частоты от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

]]> pickvik Sun, 10 Jan 2016 17:46:22 +0300 [/fullrss] [yandexrss] Транзистор КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И https://elektrouzel.ru/reference/transistors/318-tranzistor-kt639a-kt639b-kt639v-kt639g-kt639d-kt639e-kt639zh-kt639i.html
КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639ИКТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, предназначены для применения в каскадах предварительного усиления и в переключающих устройствах.

 Транзисторы Sun, 10 Jan 2016 17:46:22 +0300
КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639ИКТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И

Транзисторы КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, предназначены для применения в каскадах предварительного усиления и в переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,7 грамм.

Чертёж КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639ИЧертёж КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UКБ=2 В, IЭ=150 мА
при Т=+25°С
КТ639А, КТ639Г, КТ639Е 40...100
КТ639Б, КТ639Д, КТ639Ж 63...160
КТ639В 100...250
КТ639И 180..400
при Т=+125°С 0,8h21Э, мин...3h21Э, макс
при Т=-65°С, не менее 0,3h21Э, мин
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при UКБ=5 В, IЭ=30 мА, ƒ=20 МГц 4...10...12
Граничное напряжение при IЭ=50 мА, не менее
КТ639А, КТ639Б, КТ639В 45 В
КТ639Г, КТ639Д 60 В
КТ639Ж 80 В
КТ639И 30 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=500 мА, IБ=50 мА 0,15...0,35...0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=500 мА, IБ=50 мА 0,92...0,96...1,25 В
Время рассасывания при IК=500 мА, IБ=50 мА, типовое значение 200 нс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В 15...20...50 пФ
Ёмкость коллекторного перехода при UЭБ=0,5 В 90...120...200 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=30 В, не более
Т=+25°С 100 нА
Т=+125°С 100 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=5 В, не более 100 нА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
КТ639А, КТ639Б, КТ639В 45 В
КТ639Г, КТ639Д 60 В
КТ639И 30 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ=1 кОм для КТ639Ж 100 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 1,5 А
Импульсный ток коллектора 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора* при Т=-60...+35°С 1 Вт
Температура p-n перехода +150°С
Тепловое сопротивление переход-среда 115°С/Вт
Температура окружающей среды -60...+125°С

* При Т>+35°С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из выражения:

PК, макс, Вт=(150-Т)÷115.


1. Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость граничной частоты от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.1. Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость граничной частоты от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

1. Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость граничной частоты от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

 КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639ИКТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И

Транзисторы КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, предназначены для применения в каскадах предварительного усиления и в переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,7 грамм.

Чертёж КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639ИЧертёж КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UКБ=2 В, IЭ=150 мА
при Т=+25°С
КТ639А, КТ639Г, КТ639Е 40...100
КТ639Б, КТ639Д, КТ639Ж 63...160
КТ639В 100...250
КТ639И 180..400
при Т=+125°С 0,8h21Э, мин...3h21Э, макс
при Т=-65°С, не менее 0,3h21Э, мин
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при UКБ=5 В, IЭ=30 мА, ƒ=20 МГц 4...10...12
Граничное напряжение при IЭ=50 мА, не менее
КТ639А, КТ639Б, КТ639В 45 В
КТ639Г, КТ639Д 60 В
КТ639Ж 80 В
КТ639И 30 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=500 мА, IБ=50 мА 0,15...0,35...0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=500 мА, IБ=50 мА 0,92...0,96...1,25 В
Время рассасывания при IК=500 мА, IБ=50 мА, типовое значение 200 нс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В 15...20...50 пФ
Ёмкость коллекторного перехода при UЭБ=0,5 В 90...120...200 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=30 В, не более
Т=+25°С 100 нА
Т=+125°С 100 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=5 В, не более 100 нА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
КТ639А, КТ639Б, КТ639В 45 В
КТ639Г, КТ639Д 60 В
КТ639И 30 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ=1 кОм для КТ639Ж 100 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 1,5 А
Импульсный ток коллектора 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора* при Т=-60...+35°С 1 Вт
Температура p-n перехода +150°С
Тепловое сопротивление переход-среда 115°С/Вт
Температура окружающей среды -60...+125°С

* При Т>+35°С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из выражения:

PК, макс, Вт=(150-Т)÷115.


1. Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость граничной частоты от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.1. Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость граничной частоты от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

1. Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость граничной частоты от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

]]> [/yandexrss][shortrss] Транзистор КТ680А https://elektrouzel.ru/reference/transistors/317-tranzistor-kt680a.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/317-tranzistor-kt680a.html
Транзистор КТ680АТранзистор КТ680А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в усилителях низкой частоты.

 Транзистор КТ680АТранзистор КТ680А

Транзистор КТ680А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. На корпус наносится условная маркировка - уголок чёрного цвета и буква "А". Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,3 грамма.

Чертёж транзистора КТ680АЧертёж транзистора КТ680А

Электрические параметры КТ680А.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при UКЭ=1 В, IК=500 мА
Т=+25°С 85...180...300
Т=+85°С 85...600
Т=-45°С 40...300
при UКЭ=1 В, IК=1 А 60...150
при UКЭ=10 В, IК=5 мА 50...200
при UКЭ=5 В, IК=50 мА, не менее 80
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при UКЭ=5 В, IК=50 мА, ƒ=100 МГц, не менее		 1,2
типовое значение 2,5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
при IК=1 А, IБ=0,1 А 0,27...0,4...0,5 В
при IК=0,1 А, IБ=0,01 А 0,03...0,05...0,2 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=1 А, IБ=0,1 А 0,9...0,95...1,2 В
Обратный ток коллектора при UКБ=25 В, не более
Т=+25 и -45°С 10 мкА
Т=+85°С 500 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=5 В, не более 10 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база 30 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер 25 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 0,6 А
Импульсный ток коллектора при tи=20 мс, Q=100 2 А
Постоянный ток базы 100 мА
Импульсный ток базы при tи=20 мс, Q=100 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора* при Т≤+25°С 0,35 Вт
Температура p-n перехода +125°С/Вт
Тепловое сопротивление переход-среда 286°С/Вт
Температура окружающей среды -45...+85°С

* При Т>+25°С pК, макс снижается линейно на 3,5 мВт/°С.


Графическая таблица транзистора КТ680А 1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.Графическая таблица транзистора КТ680А 1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

]]> Транзисторы pickvik Sat, 09 Jan 2016 18:43:12 +0300 [/shortrss] [fullrss] Транзистор КТ680А https://elektrouzel.ru/reference/transistors/317-tranzistor-kt680a.html https://elektrouzel.ru/reference/transistors/317-tranzistor-kt680a.html Транзистор КТ680АТранзистор КТ680А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в усилителях низкой частоты.

]]> Транзистор КТ680АТранзистор КТ680А

Транзистор КТ680А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. На корпус наносится условная маркировка - уголок чёрного цвета и буква "А". Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,3 грамма.

Чертёж транзистора КТ680АЧертёж транзистора КТ680А

Электрические параметры КТ680А.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при UКЭ=1 В, IК=500 мА
Т=+25°С 85...180...300
Т=+85°С 85...600
Т=-45°С 40...300
при UКЭ=1 В, IК=1 А 60...150
при UКЭ=10 В, IК=5 мА 50...200
при UКЭ=5 В, IК=50 мА, не менее 80
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при UКЭ=5 В, IК=50 мА, ƒ=100 МГц, не менее		 1,2
типовое значение 2,5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
при IК=1 А, IБ=0,1 А 0,27...0,4...0,5 В
при IК=0,1 А, IБ=0,01 А 0,03...0,05...0,2 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=1 А, IБ=0,1 А 0,9...0,95...1,2 В
Обратный ток коллектора при UКБ=25 В, не более
Т=+25 и -45°С 10 мкА
Т=+85°С 500 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=5 В, не более 10 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база 30 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер 25 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 0,6 А
Импульсный ток коллектора при tи=20 мс, Q=100 2 А
Постоянный ток базы 100 мА
Импульсный ток базы при tи=20 мс, Q=100 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора* при Т≤+25°С 0,35 Вт
Температура p-n перехода +125°С/Вт
Тепловое сопротивление переход-среда 286°С/Вт
Температура окружающей среды -45...+85°С

* При Т>+25°С pК, макс снижается линейно на 3,5 мВт/°С.


Графическая таблица транзистора КТ680А 1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.Графическая таблица транзистора КТ680А 1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

]]> pickvik Sat, 09 Jan 2016 18:43:12 +0300 [/fullrss] [yandexrss] Транзистор КТ680А https://elektrouzel.ru/reference/transistors/317-tranzistor-kt680a.html
Транзистор КТ680АТранзистор КТ680А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в усилителях низкой частоты.

 Транзисторы Sat, 09 Jan 2016 18:43:12 +0300
Транзистор КТ680АТранзистор КТ680А

Транзистор КТ680А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. На корпус наносится условная маркировка - уголок чёрного цвета и буква "А". Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,3 грамма.

Чертёж транзистора КТ680АЧертёж транзистора КТ680А

Электрические параметры КТ680А.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при UКЭ=1 В, IК=500 мА
Т=+25°С 85...180...300
Т=+85°С 85...600
Т=-45°С 40...300
при UКЭ=1 В, IК=1 А 60...150
при UКЭ=10 В, IК=5 мА 50...200
при UКЭ=5 В, IК=50 мА, не менее 80
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при UКЭ=5 В, IК=50 мА, ƒ=100 МГц, не менее		 1,2
типовое значение 2,5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
при IК=1 А, IБ=0,1 А 0,27...0,4...0,5 В
при IК=0,1 А, IБ=0,01 А 0,03...0,05...0,2 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=1 А, IБ=0,1 А 0,9...0,95...1,2 В
Обратный ток коллектора при UКБ=25 В, не более
Т=+25 и -45°С 10 мкА
Т=+85°С 500 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=5 В, не более 10 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база 30 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер 25 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 0,6 А
Импульсный ток коллектора при tи=20 мс, Q=100 2 А
Постоянный ток базы 100 мА
Импульсный ток базы при tи=20 мс, Q=100 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора* при Т≤+25°С 0,35 Вт
Температура p-n перехода +125°С/Вт
Тепловое сопротивление переход-среда 286°С/Вт
Температура окружающей среды -45...+85°С

* При Т>+25°С pК, макс снижается линейно на 3,5 мВт/°С.


Графическая таблица транзистора КТ680А 1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.Графическая таблица транзистора КТ680А 1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

 Транзистор КТ680АТранзистор КТ680А

Транзистор КТ680А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. На корпус наносится условная маркировка - уголок чёрного цвета и буква "А". Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,3 грамма.

Чертёж транзистора КТ680АЧертёж транзистора КТ680А

Электрические параметры КТ680А.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при UКЭ=1 В, IК=500 мА
Т=+25°С 85...180...300
Т=+85°С 85...600
Т=-45°С 40...300
при UКЭ=1 В, IК=1 А 60...150
при UКЭ=10 В, IК=5 мА 50...200
при UКЭ=5 В, IК=50 мА, не менее 80
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при UКЭ=5 В, IК=50 мА, ƒ=100 МГц, не менее		 1,2
типовое значение 2,5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
при IК=1 А, IБ=0,1 А 0,27...0,4...0,5 В
при IК=0,1 А, IБ=0,01 А 0,03...0,05...0,2 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=1 А, IБ=0,1 А 0,9...0,95...1,2 В
Обратный ток коллектора при UКБ=25 В, не более
Т=+25 и -45°С 10 мкА
Т=+85°С 500 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=5 В, не более 10 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база 30 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер 25 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 0,6 А
Импульсный ток коллектора при tи=20 мс, Q=100 2 А
Постоянный ток базы 100 мА
Импульсный ток базы при tи=20 мс, Q=100 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора* при Т≤+25°С 0,35 Вт
Температура p-n перехода +125°С/Вт
Тепловое сопротивление переход-среда 286°С/Вт
Температура окружающей среды -45...+85°С

* При Т>+25°С pК, макс снижается линейно на 3,5 мВт/°С.


Графическая таблица транзистора КТ680А 1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.Графическая таблица транзистора КТ680А 1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

]]> [/yandexrss]